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Biografias

William B. Shockley
Físico norte-americano de origem britânica
13-2-1910, Londres, Grã-Bretanha
12-8-1989, Palo Alto, Califórnia

Do Klick Educação

No decorrer de suas experiências, Shockley descobriu que os cristais de germânio possuem propriedades que intensificam a corrente elétrica (semicondutores). Em 1948, juntamente com seus colaboradores, conseguiu utilizar este efeito transístor em lugar de um amplificador convencional de tubo. Devido ao reduzido tamanho e ao baixo consumo energético, os transístores impuseram-se rapidamente. A partir desta descoberta, desenvolveu-se a técnica radioelétrica atual, utilizada nos computadores. Em 1956, Shockley recebeu o Prêmio Nobel de Física. Trabalhando, desde 1936, na Bell Telephone Laboratories em Murray Hills (New Jersey), em 1963 foi-lhe atribuída uma cátedra na Universidade de Stanford (Califórnia).
Os textos publicados antes de 1º de janeiro de 2009 não seguem o novo Acordo Ortográfico da Língua Portuguesa. A grafia vigente até então e a da reforma ortográfica serão aceitas até 2012

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